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STI(Shallow Trench Isolation、シャロートレンチアイソレーション)

よみ シャロートレンチアイソレーション
英 Shallow Trench Isolation
概要 STI(Shallow Trench Isolation、シャロートレンチアイソレーション)とは、半導体製造工程における素子分離法の一つ。シリコン(Si)基板上に浅い溝を形成した後、酸化膜(SiO2)などの絶縁物で埋め戻して素子分離領域を形成する。
具体的には、Si基板に薄いSiO2を形成。さらに窒化膜(Si3N4)などをマスキングし、エッチングでSi基板に浅い溝を形成。エッチング部分に酸化膜を形成し、それを絶縁分離膜として用いる(埋め込み酸化膜とも呼ばれる)。
STIはLOCOSに比べて横方向へ広がりがなく、微細化が可能。

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